比亞迪IGBT芯片通過中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會組織的科技成果鑒定
比亞迪IGBT產(chǎn)品晶圓
提前布局SiC，比亞迪欲再度引領電動車變革
“馴服”了IGBT，比亞迪又將目光投向了更遠的未來。
雖然在未來較長一段時間內，IGBT仍將供不應求。但比亞迪也已預見到，隨著電動車性能不斷地提升，對功率半導體組件提出了更高的要求，當下的IGBT也將逼近硅材料的性能極限。尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導體材料，已成為學界和業(yè)界的普遍共識。
據(jù)悉，比亞迪已投入巨資布局第三代半導體材料SiC，并將整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導體全產(chǎn)業(yè)鏈，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動車領域的應用。
第三代半導體材料SiC
比亞迪SiC晶圓
此次發(fā)布會上，比亞迪宣布，已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現(xiàn)SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升10%。
比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續(xù)迭代更新的新一代‘殺手锏’，我們期望在加速、續(xù)航等性能指標上，為廣大消費者帶來更多驚喜。”
比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛分享比亞迪在汽車功率半導體領域的布局
以技術創(chuàng)新，助力中國汽車產(chǎn)業(yè)“再向上”
在過去相當長的時間里，IGBT的核心技術始終掌握在國外廠商手里，中高端IGBT市場90%的份額被國際巨頭壟斷，導致“一芯難求”，成為制約我國電動車行業(yè)健康、快速發(fā)展的主要瓶頸。
根據(jù)世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子（Future Electronics LTD）的統(tǒng)計，2018年，車規(guī)級IGBT模塊的交貨周期最長已經(jīng)達到52周（IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周）。而2018-2022年，全球電動車年復合增長率達30%，但同期車規(guī)級IGBT市場的年復合增長率僅為15.7%。可以預見，未來幾年全球車規(guī)級IGBT市場的供應將愈加緊張。
在功率半導體等核心技術的加持下，比亞迪在過去的三年位居全球電動車銷量第一，并助推我國電動車行業(yè)高速發(fā)展——正是在這三年，我國電動車產(chǎn)銷量持續(xù)領跑全球、保有量全球占比達到50%。
十多年前，比亞迪打破國際巨頭對IGBT的技術壟斷，助力我國電動車的快速發(fā)展；今天，比亞迪推出了全新的車規(guī)級IGBT4.0，為我國汽車產(chǎn)業(yè)的換道超車，提供強大的“中國芯”。未來，伴隨著比亞迪SiC的推出與大規(guī)模應用，我國汽車產(chǎn)業(yè)的“再向上”將獲得新的助推力。
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