5月29日，為進一步加強光伏制造行業管理，規范產業發展秩序，提高行業發展水平，加快推進光伏產業轉型升級，工信部電子信息司組織修訂完成了《光伏制造行業規范條件（2020年本）》（征求意見稿），現公開征求意見。
征求意見稿明確，嚴格控制新上單純擴大產能的光伏制造項目，引導光伏企業加強技術創新、提高產品質量、降低生產成本。新建和改擴建多晶硅制造項目，最低資本金比例為30%，其他新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%，其中，電池制造項目投資強度不低于900萬元/畝，組件制造項目投資強度不低于500萬元/畝。
征求意見稿強調，光伏制造企業應采用工藝先進、節能環保、生產成本低的生產技術和設備。光伏制造企業每年用于研發及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%，且不少于1000萬元人民幣，鼓勵企業取得省級以上獨立研發機構、技術中心或高新技術企業資質；申報符合規范名單時上一年實際產量不低于上一年實際產能的50%。
為加強光伏制造行業管理，引導產業加快轉型升級和結構調整，推動我國光伏產業持續健康發展，根據國家有關法律法規及《國務院關于促進光伏產業健康發展的若干意見》（國發〔2013〕24號），按照優化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創新、支持應用的原則，制定本規范條件。
一、生產布局與項目設立
（一）光伏制造企業及項目應符合國家資源開發利用、環境保護、節能管理等法律法規要求，符合國家產業政策和相關產業規劃及布局要求，符合當地土地利用總體規劃、城市總體規劃、環境功能區劃和環境保護規劃等要求。
（二）在國家法律法規、規章及規劃確定或省級以上人民政府批準的自然保護區、飲用水水源保護區、生態功能保護區，已劃定的永久基本農田，以及法律、法規規定禁止建設工業企業的區域不得建設光伏制造項目。上述區域內的現有企業應按照法律法規要求拆除關閉，或嚴格控制規模、逐步遷出。
（三）嚴格控制新上單純擴大產能的光伏制造項目，引導光伏企業加強技術創新、提高產品質量、降低生產成本。新建和改擴建多晶硅制造項目，最低資本金比例為30%，其他新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%，其中，電池制造項目投資強度不低于900萬元/畝，組件制造項目投資強度不低于500萬元/畝。
二、工藝技術
（一）光伏制造企業應采用工藝先進、節能環保、產品質量好、生產成本低的生產技術和設備。
（二）光伏制造企業應具備以下條件：在中華人民共和國境內依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產品獨立生產、供應和售后服務能力；每年用于研發及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣，鼓勵企業取得省級以上獨立研發機構、技術中心或高新技術企業資質；申報符合規范名單時上一年實際產量不低于上一年實際產能的50%。
（三）現有光伏制造企業及項目產品應滿足以下要求：
1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T 25074）或《流化床法顆粒硅》（GB/T 35307）特級品的要求。
2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命不低于2μs，碳、氧含量分別小于10ppma和10ppma；P型單晶硅片少子壽命不低于50μs，N型單晶硅片少子壽命不低于500μs，碳、氧含量分別小于1ppma和14ppma。
3.多晶硅電池和單晶硅電池（雙面電池按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低于19%和22.5%。
4.多晶硅組件和單晶硅組件（雙面組件按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低于17%和19.6%。
5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜組件的平均光電轉換效率分別不低于12%、15%、14%、14%。
6.含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于96.5%，不含變壓器型的光伏逆變器中國加權效率不得低于98%（單相二級拓撲結構的光伏逆變器相關指標分別不低于94.5%和97.3%），微型逆變器相關指標分別不低于95%和95.5%，鼓勵逆變器企業加強與產業鏈上游企業合作。
（四）新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求：
1.多晶硅滿足《電子級多晶硅》（GB/T 12963）3級品以上要求或《流化床法顆粒硅》（GB/T 35307）特級品的要求。
2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命不低于2.5μs，碳、氧含量分別小于6ppma和8ppma；P型單晶硅片少子壽命不低于80μs，N型單晶硅片少子壽命不低于700μs，碳、氧含量分別小于1ppma和14ppma。
3.多晶硅電池和單晶硅電池（雙面電池按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低于20%和23%。
4.多晶硅組件和單晶硅組件（雙面組件按正面效率計算）的平均光電轉換效率分別不低于17.8%和20%。
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜組件的平均光電轉換效率分別不低于13%、16%、15%、15%。
（五）晶硅組件衰減率首年不高于2.5%，后續每年不高于0.6%，25年內不高于17%；薄膜組件衰減率首年不高于5%，后續每年不高于0.4%，25年內不高于15%。
三、資源綜合利用及能耗
（一）光伏制造企業和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節約集約用地。
（二）光伏制造項目電耗應滿足以下要求：
1.現有多晶硅項目還原電耗小于60千瓦時/千克，綜合電耗小于80千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小于50千瓦時/千克，綜合電耗小于70千瓦時/千克。
2.現有硅錠項目平均綜合電耗小于7.5千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于6.5千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生產準單晶或高效多晶產品，項目平均綜合電耗的增加幅度不得超過0.5千瓦時/千克。
3.現有硅棒項目平均綜合電耗小于30千瓦時/千克，新建和改擴建項目小于28千瓦時/千克。
4.現有多晶硅片項目平均綜合電耗小于25萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于20萬千瓦時/百萬片；現有單晶硅片項目平均綜合電耗小于20萬千瓦時/百萬片，新建和改擴建項目小于15萬千瓦時/百萬片。
5.晶硅電池項目平均綜合電耗小于8萬千瓦時/MWp。
6.晶硅組件項目平均綜合電耗小于4萬千瓦時/MWp，薄膜組件項目平均電耗小于50萬千瓦時/MWp。
（三）光伏制造項目生產水耗應滿足以下要求：
1.多晶硅項目水循環利用率不低于95%；
2.硅片項目水耗低于1300噸/百萬片；
3.P型晶硅電池項目水耗低于750噸/MWp，N型晶硅電池項目水耗低于900噸/MWp。
（四）其他生產單耗需滿足國家相關標準。
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